ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง——

ปัจจัยการกระจายต่ำ class II

ไม่ใช่:ซีรีส์ HCR

ข้อมูลจำเพาะ: DC:1KV/2KV/3KV ความจุ:100~4700pF

การแนะนำ:

ใช้สำหรับการดูดซับความยุ่งเหยิงความถี่สูงของ วงจร อิเล็กทรอนิกส์แรงดันสูงความถี่สูง

• ลักษณะอุณหภูมิ R(+/-15%,-25~+85/℃)
• ปัจจัยการกระจายต่ำสูงสุด 0.2% ที่ความถี่สูงและความร้อนต่ำในตัวเอง
• แรงดันพังทลายสูงขนาดเล็ก
• ชนิดตะกั่วและการเคลือบเรซินช่วยให้มั่นใจได้ถึงความต้านทานต่อการสั่นสะเทือนและความชื้นที่ดีเยี่ยม
• เคลือบด้วยอีพอกซีเรซินสีน้ำเงินที่ทนไฟซึ่งเป็นไปตามมาตรฐาน UL-94V-0
• ปฏิบัติตามคำสั่ง RoHS และ REACH
• อุณหภูมิในการทำงาน:-25~+125℃.